دورية أكاديمية

Analysis of TCC in p-n Short Silicon Diodes at 300–400 K

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Analysis of TCC in p-n Short Silicon Diodes at 300–400 K
المؤلفون: Kubica, R.M.R., Albouy, A., Balestra, F., Aliane, A., Leduc, P.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(8):4476-4482 Aug, 2024
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2024.3408772