دورية أكاديمية

BEOL-Compatible High-Performance Indium-Tin-Oxide Transistors Enabled by Quantum Confinement-Engineered Properties

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: BEOL-Compatible High-Performance Indium-Tin-Oxide Transistors Enabled by Quantum Confinement-Engineered Properties
المؤلفون: Kang, Y., Han, K., Chen, X., Chen, Y., Gong, X.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(8):4692-4700 Aug, 2024
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2024.3410239