دورية أكاديمية

A Comprehensive Study of Transient Characteristics in FeFET Using In-Situ Vt Measurement Method

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: A Comprehensive Study of Transient Characteristics in FeFET Using In-Situ Vt Measurement Method
المؤلفون: Myeong, I., Kim, H., Kim, W., Ha, D., Ahn, S., Song, J.
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 45(8):1457-1460 Aug, 2024
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:07413106
15580563
DOI:10.1109/LED.2024.3417606