دورية أكاديمية

Simulation of oxide trapping noise in submicron n-channel MOSFETs

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Simulation of oxide trapping noise in submicron n-channel MOSFETs
المؤلفون: Fan-Chi Hou, Bosman, G., Law, M.E.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 50(3):846-852 Mar, 2003
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2003.811395