دورية أكاديمية
Simulation of oxide trapping noise in submicron n-channel MOSFETs
العنوان: | Simulation of oxide trapping noise in submicron n-channel MOSFETs |
---|---|
المؤلفون: | Fan-Chi Hou, Bosman, G., Law, M.E. |
المصدر: | IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 50(3):846-852 Mar, 2003 |
قاعدة البيانات: | IEEE Xplore Digital Library |
كن أول من يترك تعليقا!