دورية أكاديمية

Radiation hardness of Czochralski silicon studied by 10-MeV and 20-MeV protons

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Radiation hardness of Czochralski silicon studied by 10-MeV and 20-MeV protons
المؤلفون: Tuominen, E., Harkonen, J., Tuovinen, E., Lassila-Perini, K., Luukka, P., Mehtala, P., Nummela, S., Nysten, J., Zibellini, A., Li, Z., Heikkila, P., Ovchinnikov, V., Yli-Koski, M., Laitinen, P., Pirojenko, A., Riihimaki, I., Virtanen, A.
المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 50(6):1942-1946 Dec, 2003
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189499
15581578
DOI:10.1109/TNS.2003.821405