دورية أكاديمية

Erbium silicided n-type Schottky barrier tunnel transistors for nanometer regime applications

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Erbium silicided n-type Schottky barrier tunnel transistors for nanometer regime applications
المؤلفون: Moongyu Jang, Seongjae Lee, Kyoungwan Park
المصدر: IEEE Transactions on Nanotechnology IEEE Trans. Nanotechnology Nanotechnology, IEEE Transactions on. 2(4):205-209 Dec, 2003
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:1536125X
19410085
DOI:10.1109/TNANO.2003.820801