دورية أكاديمية

Accurate modeling of the source resistance in modulation-doped FETs

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Accurate modeling of the source resistance in modulation-doped FETs
المؤلفون: Fu, S.-T., Das, M.B.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 39(4):1013-1017 Apr, 1992
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/16.127498