دورية أكاديمية

Ultrathin Al/sub 2/O/sub 3/ and HfO/sub 2/ gate dielectrics on surface-nitrided Ge

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Ultrathin Al/sub 2/O/sub 3/ and HfO/sub 2/ gate dielectrics on surface-nitrided Ge
المؤلفون: James Jer-Hueih Chen, Bojarezuk, N.A., Jr., Huiling Shang, Copel, M., Hannon, J.B., Karasinski, J., Preisler, E., Banerjee, S.K., Guha, S.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 51(9):1441-1447 Sep, 2004
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2004.833593