دورية أكاديمية

Reliability enhancement in high-performance MOSFETs by annular transistor design

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Reliability enhancement in high-performance MOSFETs by annular transistor design
المؤلفون: Mayer, D.C., Lacoe, R.C., King, E.E., Osborn, J.V.
المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 51(6):3615-3620 Dec, 2004
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189499
15581578
DOI:10.1109/TNS.2004.839157