دورية أكاديمية
Reliability enhancement in high-performance MOSFETs by annular transistor design
العنوان: | Reliability enhancement in high-performance MOSFETs by annular transistor design |
---|---|
المؤلفون: | Mayer, D.C., Lacoe, R.C., King, E.E., Osborn, J.V. |
المصدر: | IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 51(6):3615-3620 Dec, 2004 |
قاعدة البيانات: | IEEE Xplore Digital Library |
كن أول من يترك تعليقا!