دورية أكاديمية

An investigation of low-frequency noise in complementary SiGe HBTs

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: An investigation of low-frequency noise in complementary SiGe HBTs
المؤلفون: Enhai Zhao, Krithivasan, R., Sutton, A.K., Zhenrong Jin, Cressler, J.D., El-Kareh, B., Balster, S., Yasuda, H.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 53(2):329-338 Feb, 2006
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2005.862698