دورية أكاديمية

Characterization of neutral base recombination for SiGe HBTs

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Characterization of neutral base recombination for SiGe HBTs
المؤلفون: Jun Fu, Bach, K.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 53(4):844-850 Apr, 2006
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2006.870573