دورية أكاديمية

Asymmetric gate-induced drain leakage and body leakage in vertical MOSFETs with reduced parasitic capacitance

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Asymmetric gate-induced drain leakage and body leakage in vertical MOSFETs with reduced parasitic capacitance
المؤلفون: Gili, E., Kunz, V.D., Uchino, T., Hakim, M.M.A., de Groot, C.H., Ashburn, P., Hall, S.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 53(5):1080-1087 May, 2006
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2006.872361