دورية أكاديمية

Drive-Current Enhancement in FinFETs Using Gate-Induced Stress

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Drive-Current Enhancement in FinFETs Using Gate-Induced Stress
المؤلفون: K.-M. Tan, T.-Y. Liow, R. T. P. Lee, C.-H. Tung, Samudra, G.S., W.-J. Yoo, Y.-C. Yeo
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 27(9):769-771 Sep, 2006
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:07413106
15580563
DOI:10.1109/LED.2006.880657