16 Mbit SRAM cell technologies for 2.0 V operation

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: 16 Mbit SRAM cell technologies for 2.0 V operation
المؤلفون: Ohkubo, H., Horiba, S., Hayashi, F., Andoh, T., Kawaguchi, M., Ochi, Y., Soeda, M., Nozue, H., Miyamoto, H., Ohkawa, M., Shimizu, T., Sasaki, I.
المصدر: International Electron Devices Meeting 1991 [Technical Digest] Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International. :481-484 1991
Relation: 1991 International Electron Devices Meeting
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
ردمك:0780302435
9780780302433
تدمد:01631918
DOI:10.1109/IEDM.1991.235351