دورية أكاديمية
Device parameter changes caused by manufacturing fluctuations of deep submicron MOSFET's
العنوان: | Device parameter changes caused by manufacturing fluctuations of deep submicron MOSFET's |
---|---|
المؤلفون: | Sitte, R., Dimitrijev, S., Harrison, H.B. |
المصدر: | IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 41(11):2210-2215 Nov, 1994 |
قاعدة البيانات: | IEEE Xplore Digital Library |
كن أول من يترك تعليقا!