Device parameter changes caused by manufacturing fluctuations of deep submicron MOSFET's

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان:	Device parameter changes caused by manufacturing fluctuations of deep submicron MOSFET's
المؤلفون:	Sitte, R., Dimitrijev, S., Harrison, H.B.
المصدر:	IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 41(11):2210-2215 Nov, 1994
قاعدة البيانات:	IEEE Xplore Digital Library

كن أول من يترك تعليقا!