دورية أكاديمية
Shallow Trench Isolation for the 45-nm CMOS Node and Geometry Dependence of STI Stress on CMOS Device Performance
العنوان: | Shallow Trench Isolation for the 45-nm CMOS Node and Geometry Dependence of STI Stress on CMOS Device Performance |
---|---|
المؤلفون: | Tilke, A. T., Stapelmann, C., Eller, M., Bach, K.-H., Hampp, R., Lindsay, R., Conti, R., Wille, W., Jaiswal, R., Galiano, M., Jain, A. |
المصدر: | IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing IEEE Trans. Semicond. Manufact. Semiconductor Manufacturing, IEEE Transactions on. 20(2):59-67 May, 2007 |
قاعدة البيانات: | IEEE Xplore Digital Library |
كن أول من يترك تعليقا!