دورية أكاديمية

Strained p-Channel FinFETs With Extended $\Pi$ -Shaped Silicon–Germanium Source and Drain Stressors

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Strained p-Channel FinFETs With Extended $\Pi$ -Shaped Silicon–Germanium Source and Drain Stressors
المؤلفون: Tan, K.-M., Liow, T.-Y., Lee, R. T. P., Hoe, K. M., Tung, C.-H., Balasubramanian, N., Samudra, G. S., Yeo, Y.-C.
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 28(10):905-908 Oct, 2007
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:07413106
15580563
DOI:10.1109/LED.2007.905406