دورية أكاديمية

Degradation Uniformity of RF-Power GaAs PHEMTs Under Electrical Stress

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Degradation Uniformity of RF-Power GaAs PHEMTs Under Electrical Stress
المؤلفون: Villanueva, A. A., del Alamo, J. A., Hisaka, T., Hayashi, K., Somerville, M.
المصدر: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability IEEE Trans. Device Mater. Relib. Device and Materials Reliability, IEEE Transactions on. 8(2):283-288 Jun, 2008
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library