دورية أكاديمية

P-Channel Tri-Gate FinFETs Featuring $\hbox{Ni}_{1 - y}\hbox{Pt}_{y} \hbox{SiGe}$ Source/Drain Contacts for Enhanced Drive Current Performance

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: P-Channel Tri-Gate FinFETs Featuring $\hbox{Ni}_{1 - y}\hbox{Pt}_{y} \hbox{SiGe}$ Source/Drain Contacts for Enhanced Drive Current Performance
المؤلفون: Lee, R. T.-P., Tan, K.-M., Lim, A. E.-J., Liow, T.-Y., Samudra, G. S., Chi, D.-Z., Yeo, Y.-C.
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 29(5):438-441 May, 2008
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:07413106
15580563
DOI:10.1109/LED.2008.920755