دورية أكاديمية

Laser Annealing of Amorphous Germanium on Silicon–Germanium Source/Drain for Strain and Performance Enhancement in pMOSFETs

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Laser Annealing of Amorphous Germanium on Silicon–Germanium Source/Drain for Strain and Performance Enhancement in pMOSFETs
المؤلفون: Liu, F., Wong, H.-S., Ang, K.-W., Zhu, M., Wang, X., Lai, D. M.-Y., Lim, P.-C., Yeo, Y.-C.
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 29(8):885-888 Aug, 2008
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:07413106
15580563
DOI:10.1109/LED.2008.2001029