دورية أكاديمية

Demonstration of Schottky Barrier NMOS Transistors With Erbium Silicided Source/Drain and Silicon Nanowire Channel

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Demonstration of Schottky Barrier NMOS Transistors With Erbium Silicided Source/Drain and Silicon Nanowire Channel
المؤلفون: Tan, E. J., Pey, K.-L., Singh, N., Lo, G.-Q., Chi, D. Z., Chin, Y. K., Hoe, K. M., Cui, G., Lee, P. S.
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 29(10):1167-1170 Oct, 2008
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:07413106
15580563
DOI:10.1109/LED.2008.2004508