دورية أكاديمية

Strained Silicon Nanowire Transistors With Germanium Source and Drain Stressors

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Strained Silicon Nanowire Transistors With Germanium Source and Drain Stressors
المؤلفون: Liow, T.-Y., Tan, K.-M., Lee, R. T. P., Zhu, M., Tan, B. L.-H., Balasubramanian, N., Yeo, Y.-C.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 55(11):3048-3055 Nov, 2008
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2008.2005153