دورية أكاديمية

Device-Orientation Effects on Multiple-Bit Upset in 65 nm SRAMs

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Device-Orientation Effects on Multiple-Bit Upset in 65 nm SRAMs
المؤلفون: Tipton, A. D., Pellish, J. A., Hutson, J. M., Baumann, R., Deng, X., Marshall, A., Xapsos, M. A., Kim, H. S., Friendlich, M. R., Campola, M. J., Seidleck, C. M., LaBel, K. A., Mendenhall, M. H., Reed, R. A., Schrimpf, R. D., Weller, R. A., Black, J. D.
المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 55(6):2880-2885 Dec, 2008
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189499
15581578
DOI:10.1109/TNS.2008.2006503