دورية أكاديمية

Characterization of Three-Terminal Junctions Operated as In-Plane Gated Field-Effect Transistors

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Characterization of Three-Terminal Junctions Operated as In-Plane Gated Field-Effect Transistors
المؤلفون: Muller, C. R., Worschech, L., Hofling, S., Forchel, A.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 56(2):306-311 Feb, 2009
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2009.2010571