دورية أكاديمية

Filament Conduction and Reset Mechanism in NiO-Based Resistive-Switching Memory (RRAM) Devices

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Filament Conduction and Reset Mechanism in NiO-Based Resistive-Switching Memory (RRAM) Devices
المؤلفون: Russo, U., Ielmini, D., Cagli, C., Lacaita, A. L.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 56(2):186-192 Feb, 2009
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2008.2010583