دورية أكاديمية

Evidence for Lateral Angle Effect on Single-Event Latchup in 65 nm SRAMs

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Evidence for Lateral Angle Effect on Single-Event Latchup in 65 nm SRAMs
المؤلفون: Hutson, J. M., Pellish, J. A., Tipton, A. D., Boselli, G., Xapsos, M. A., Kim, H., Friendlich, M., Campola, M., Seidleck, S., LaBel, K., Marshall, A., Deng, X., Baumann, R., Reed, R. A., Schrimpf, R. D., Weller, R. A., Massengill, L. W.
المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 56(1):208-213 Feb, 2009
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189499
15581578
DOI:10.1109/TNS.2008.2010395