دورية أكاديمية

Spatial retardation of carrier heating in scaled 0.1-/spl mu/m n-MOSFET's using Monte Carlo simulations

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Spatial retardation of carrier heating in scaled 0.1-/spl mu/m n-MOSFET's using Monte Carlo simulations
المؤلفون: Hulfachor, R.B., Ellis-Monaghan, J.J., Kim, K.W., Littlejohn, M.A.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 43(4):661-663 Apr, 1996
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/16.485550