دورية أكاديمية

Possibility of Transport Through a Single Acceptor in a Gate-All-Around Silicon Nanowire PMOSFET

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Possibility of Transport Through a Single Acceptor in a Gate-All-Around Silicon Nanowire PMOSFET
المؤلفون: Hong, B. H., Jung, Y. C., Rieh, J. S., Hwang, S. W., Cho, K. H., Yeo, K. H., Suk, S. D., Yeoh, Y. Y., Li, M., Kim, D.-W., Park, D., Oh, K. S., Lee, W. S.
المصدر: IEEE Transactions on Nanotechnology IEEE Trans. Nanotechnology Nanotechnology, IEEE Transactions on. 8(6):713-717 Nov, 2009
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:1536125X
19410085
DOI:10.1109/TNANO.2009.2021844