دورية أكاديمية

Platinum Germanosilicide as Source/Drain Contacts in P-Channel Fin Field-Effect Transistors (FinFETs)

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Platinum Germanosilicide as Source/Drain Contacts in P-Channel Fin Field-Effect Transistors (FinFETs)
المؤلفون: Lee, R. T. P., Chi, D. Z., Yeo, Y.-C.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 56(7):1458-1465 Jul, 2009
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2009.2021351