High mobility III–V channel MOSFETs for post-Si CMOS applications

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: High mobility III–V channel MOSFETs for post-Si CMOS applications
المؤلفون: Sun, Yanning, Kiewra, E. W., De Souza, J. P., Koester, S. J., Bucchignano, J. J., Ruiz, N., Fogel, K. E., Sadana, D. K., Shahidi, G. G., Fompeyrine, J., Webb, D. J., Sousa, M., Marchiori, C., Germann, R., Shiu, K. T.
المصدر: 2009 IEEE International Conference on IC Design and Technology IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09. IEEE International Conference on. :161-164 May, 2009
Relation: 2009 IEEE International Conference on IC Design and Technology (ICICDT)
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
ردمك:9781424429332
9781424429349
تدمد:23813555
DOI:10.1109/ICICDT.2009.5166286