دورية أكاديمية

Measurement of Channel Temperature in GaN High-Electron Mobility Transistors

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Measurement of Channel Temperature in GaN High-Electron Mobility Transistors
المؤلفون: Joh, J., del Alamo, J. A., Chowdhury, U., Chou, T.-M., Tserng, H.-Q., Jimenez, J. L.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 56(12):2895-2901 Dec, 2009
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2009.2032614