دورية أكاديمية

MOSFET-Like Behavior of a-InGaZnO Thin-Film Transistors With Plasma-Exposed Source–Drain Bulk Region

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: MOSFET-Like Behavior of a-InGaZnO Thin-Film Transistors With Plasma-Exposed Source–Drain Bulk Region
المؤلفون: Jeong, J., Hong, Y., Jeong, J. K., Park, J.-S., Mo, Y.-G.
المصدر: Journal of Display Technology J. Display Technol. Display Technology, Journal of. 5(12):495-500 Dec, 2009
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:1551319X
15589323
DOI:10.1109/JDT.2009.2021490