دورية أكاديمية

Comparison of NMOS and PMOS hot carrier effects from 300 to 77 K

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Comparison of NMOS and PMOS hot carrier effects from 300 to 77 K
المؤلفون: Song, M., MacWilliams, K.P., Woo, J.C.S.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 44(2):268-276 Feb, 1997
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/16.557714