دورية أكاديمية

Comment on “Channel Length and Threshold Voltage Dependence of a Transistor Mismatch in a 32-nm HKMG Technology”

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Comment on “Channel Length and Threshold Voltage Dependence of a Transistor Mismatch in a 32-nm HKMG Technology”
المؤلفون: Hook, T. B., Johnson, J. B., Cathignol, A., Cros, A., Ghibaudo, G.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 58(4):1255-1256 Apr, 2011
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2011.2104962