دورية أكاديمية

MOSFETs Made From GaN Nanowires With Fully Conformal Cylindrical Gates

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: MOSFETs Made From GaN Nanowires With Fully Conformal Cylindrical Gates
المؤلفون: Blanchard, P. T., Bertness, K. A., Harvey, T. E., Sanders, A. W., Sanford, N. A., George, S. M., Seghete, D.
المصدر: IEEE Transactions on Nanotechnology IEEE Trans. Nanotechnology Nanotechnology, IEEE Transactions on. 11(3):479-482 May, 2012
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:1536125X
19410085
DOI:10.1109/TNANO.2011.2177993