دورية أكاديمية

Fin-Height Effect on Poly-Si/PVD-TiN Stacked-Gate FinFET Performance

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Fin-Height Effect on Poly-Si/PVD-TiN Stacked-Gate FinFET Performance
المؤلفون: Hayashida, T., Endo, K., Liu, Y., O'uchi, S.-I., Matsukawa, T., Mizubayashi, W., Migita, S., Morita, Y., Ota, H., Hashiguchi, H., Kosemura, D., Kamei, T., Tsukada, J., Ishikawa, Y., Yamauchi, H., Ogura, A., Masahara, M.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 59(3):647-653 Mar, 2012
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2011.2181385