دورية أكاديمية
Are Interface State Generation and Positive Oxide Charge Trapping Under Negative-Bias Temperature Stressing Correlated or Coupled?
العنوان: | Are Interface State Generation and Positive Oxide Charge Trapping Under Negative-Bias Temperature Stressing Correlated or Coupled? |
---|---|
المؤلفون: | Ho, T. J. J., Ang, D. S., Boo, A. A., Teo, Z. Q., Leong, K. C. |
المصدر: | IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 59(4):1013-1022 Apr, 2012 |
قاعدة البيانات: | IEEE Xplore Digital Library |
كن أول من يترك تعليقا!