دورية أكاديمية

Effect of dopant redistribution, segregation, and carrier trapping in As-implanted MOS gates

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Effect of dopant redistribution, segregation, and carrier trapping in As-implanted MOS gates
المؤلفون: Batra, S., Park, K., Lin, J., Yoganathan, S., Lee, J.C., Banerjee, S.K., Sun, S.W., Lux, G.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 37(11):2322-2330 Nov, 1990
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/16.62295