دورية أكاديمية

Rediscovery of Single-Event Gate Rupture Mechanism in Power MOSFETs

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Rediscovery of Single-Event Gate Rupture Mechanism in Power MOSFETs
المؤلفون: Kuboyama, S., Ikeda, N., Mizuta, E., Abe, H., Hirao, T., Tamura, T.
المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 59(4):749-754 Aug, 2012
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189499
15581578
DOI:10.1109/TNS.2012.2201501