دورية أكاديمية

Design and Analysis of Robust Tunneling FET SRAM

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Design and Analysis of Robust Tunneling FET SRAM
المؤلفون: Chen, Y.-N., Fan, M.-L., Hu, V.-H., Su, P., Chuang, C.-T.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 60(3):1092-1098 Mar, 2013
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2013.2239297