دورية أكاديمية

Scaling of GaN HEMTs and Schottky Diodes for Submillimeter-Wave MMIC Applications

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Scaling of GaN HEMTs and Schottky Diodes for Submillimeter-Wave MMIC Applications
المؤلفون: Shinohara, K., Regan, D. C., Tang, Y., Corrion, A. L., Brown, D. F., Wong, J. C., Robinson, J. F., Fung, H. H., Schmitz, A., Oh, T. C., Kim, S. J., Chen, P. S., Nagele, R. G., Margomenos, A. D., Micovic, M.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 60(10):2982-2996 Oct, 2013
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2013.2268160