دورية أكاديمية

Trapping and Reliability Assessment in D-Mode GaN-Based MIS-HEMTs for Power Applications

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Trapping and Reliability Assessment in D-Mode GaN-Based MIS-HEMTs for Power Applications
المؤلفون: Meneghini, M., Bisi, D., Marcon, D., Stoffels, S., Van Hove, M., Wu, T.-L., Decoutere, S., Meneghesso, G., Zanoni, E.
المصدر: IEEE Transactions on Power Electronics IEEE Trans. Power Electron. Power Electronics, IEEE Transactions on. 29(5):2199-2207 May, 2014
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:08858993
19410107
DOI:10.1109/TPEL.2013.2271977