دورية أكاديمية

A Detailed Study of Gate Insulator Process Dependence of NBTI Using a Compact Model

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: A Detailed Study of Gate Insulator Process Dependence of NBTI Using a Compact Model
المؤلفون: Joshi, K., Mukhopadhyay, S., Goel, N., Nanware, N., Mahapatra, S.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 61(2):408-415 Feb, 2014
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2013.2295844