دورية أكاديمية

Threshold Voltage Variations Due to Oblique Single Grain Boundary in Sub-50-nm Polysilicon Channel

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Threshold Voltage Variations Due to Oblique Single Grain Boundary in Sub-50-nm Polysilicon Channel
المؤلفون: Kim, J., Rim, T., Lee, J., Baek, C., Meyyappan, M.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 61(8):2705-2710 Aug, 2014
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2014.2329848