Modeling parasitic capacitances in Gallium Nitride (GaN) FET transistor

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Modeling parasitic capacitances in Gallium Nitride (GaN) FET transistor
المؤلفون: Loo-Yau, J. R.
المصدر: 2014 IEEE Central America and Panama Convention (CONCAPAN XXXIV) Central America and Panama Convention (CONCAPAN XXXIV), 2014 IEEE. :1-6 Nov, 2014
Relation: 2014 IEEE Central America and Panama Convention (CONCAPAN XXXIV)
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
ردمك:9781479975846
DOI:10.1109/CONCAPAN.2014.7000417