دورية أكاديمية

1/ $f$ Noise Characteristics of Surface-Treated Normally-Off Al2O3/GaN MOSFETs

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: 1/ $f$ Noise Characteristics of Surface-Treated Normally-Off Al2O3/GaN MOSFETs
المؤلفون: Sakong, S., Lee, S., Rim, T., Jo, Y., Lee, J., Jeong, Y.
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 36(3):229-231 Mar, 2015
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:07413106
15580563
DOI:10.1109/LED.2015.2394373