دورية أكاديمية

A 220-mm/sup 2/, four- and eight-bank, 256-Mb SDRAM with single-sided stitched WL architecture

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: A 220-mm/sup 2/, four- and eight-bank, 256-Mb SDRAM with single-sided stitched WL architecture
المؤلفون: Kirihata, T., Gall, M., Hosokawa, K., Dortu, J.-M., Hing Wong, Pfefferi, P., Ji, B.L., Weinfurtner, O., DeBrosse, J.K., Terletzki, H., Selz, M., Ellis, W., Wordeman, M.R., Kiehl, O.
المصدر: IEEE Journal of Solid-State Circuits IEEE J. Solid-State Circuits Solid-State Circuits, IEEE Journal of. 33(11):1711-1719 Nov, 1998
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189200
1558173X
DOI:10.1109/4.726565