دورية أكاديمية
A 128 Gb 3b/cell V-NAND Flash Memory With 1 Gb/s I/O Rate
| العنوان: | A 128 Gb 3b/cell V-NAND Flash Memory With 1 Gb/s I/O Rate |
|---|---|
| المؤلفون: | Jeong, W., Im, J.-w., Kim, D.-H., Nam, S.-W., Shim, D.-K., Choi, M.-H., Yoon, H.-J., Kim, Y.-S., Park, H.-W., Kwak, D.-H., Park, S.-W., Yoon, S.-M., Hahn, W.-G., Ryu, J.-H., Shim, S.-W., Kang, K.-T., Ihm, J.-D., Kim, I.-M., Lee, D.-S., Cho, J.-H., Kim, M.-S., Jang, J.-H., Hwang, S.-W., Byeon, D.-S., Yang, H.-J., Park, K., Kyung, K.-H., Choi, J.-H. |
| المصدر: | IEEE Journal of Solid-State Circuits IEEE J. Solid-State Circuits Solid-State Circuits, IEEE Journal of. 51(1):204-212 Jan, 2016 |
| قاعدة البيانات: | IEEE Xplore Digital Library |
Full Text Finder | تدمد: | 00189200 1558173X |
|---|---|
| DOI: | 10.1109/JSSC.2015.2474117 |